自从Intel展开Tick/Tock模式来更新产品，每一代的Tock环节都备受瞩目，在大多数消费者眼里，新架构带来的改进要比制程改进对性能的提升要明显很多，特别是2011年5月3D Tri-Gate晶体管架构的启用，改变了业界，也改变了Intel自身。从Lynnfield(2009年)、Clarkdale(2010年)、Arrandale(2010年)、Sandy Bridge(2011年)，以及2012年最新的Ivy Bridge，以及今天我们要介绍的Haswell。

作为全新第四代智能酷睿处理器，背负着这样的名号，全新的Haswell处理器携手与之配套的Lynx Point（8系列）芯片组正式开启了征程。

早在2011年1月，Intel发布了全新的Sandy Bridge架构，第一次实现了将处理器、图形核心、视频引擎封装在单一芯片中，并将CPU的效能提升到了新的高度。半年之后，我们将迎来22nm的Ivy Bridge。虽然Ivy Bridge是Sandy Bridge的22nm工艺升级版，但Ivy Bridge并非仅仅是将工艺制程升级为22nm，同时它还带来了诸多新的特性，如原生支持USB 3.0、支持Configurable TDP技术、同时还具有更强性能的显示单元。

3D三栅极晶体管模型

其中Tri-Gate 3D（“3D三栅极晶体管”）技术是intel近年来最大的进步，而Ivy Bridge架构除了将工艺制程升级为22nm为，就采用了这种先进的制造工艺，这也是自硅晶体管问世50多年来，3D结构晶体管史无前例的被投入批量生产。

intel晶圆工厂，22nm制程的产地

32nm二维晶体管与22nm三维晶体管对比与之前的32nm 2D晶体管相比，22nm 3D三栅极晶体管，可以在大量增加晶体管的同时有效得控制芯片的体积，同时在低电压下可将性能提高37%。受限于物理结构，传统的2D型晶体管已经严重的制约了摩尔定律的进步与发展，而3D三栅极晶体管的出现无疑又为摩尔定律开启了一个新的时代。