之前iPhone6 Plus被传出采用了TLC闪存而导致频繁四死机的影响仍在继续，那么iPhone6采用TLC或MCL内存在性能上有何区别?

香港知名硬件网站HKEPC近日就此问题做了一次详细测试，他们找来了多个iPhone6 64GB样本，包括太空灰，银色及金色各种颜色，而且出货日期十分接近。

结果发现，同样是iPhone6 64GB A1586港行，出现了HYNIX(海力士)、TOSHIBA(东芝)MLC颗粒及TOSHIBA(东芝)、SANDISK TLC颗粒四种不同版本。

为了测试采用不同闪存颗粒的iPhone 6 64GB在磁盘性能方面是否存在差异，HKEPC使用SSH对样机进行了DD Copy测试，分为Zero Fill(全零填充)以及Random Fill(随机填充)两种方式，进行1K、4K、16K、64K、256K、1024K、4096K、8192K、32768K大小文件测试，每个文件大 小重复100次。

Zero Fill(全零填充)测试：

HKEPC测试发现，采用TLC闪存的iPhone6 64GB会针对磁盘系统进行快速存取优化，只要开启显存使用的App，当系统进行拷贝时会使用系统内存进行暂存，以提升TLC写入的系统性能，甚至出现了TLC闪存颗粒的iPhone6 64GB进行拷贝时，性能表现超越了MLC颗粒的版本，最高写入速度高达207MB/s。

不过，数据文件超过400MB以后，其系统性能就会出现严重的下降，前台应用甚至会出现延迟或者闪退的情况。如果采用TLC闪存的iPhene 6 64GB开启了多个消耗系统内存的App，磁盘性能下降问题会更明显，因为磁盘系统会根据内存使用情况分配快速存取硬盘的可用容量。

iPhone6 64GB TLC NAND闪存加入了动态缓存技术

iPhone6 64GB TLC NAND闪存没有动态缓存技术

另一方面，采用MLC闪存的iPhone6 64GB进行文件拷贝时，系统内存并没有针对磁盘进行快速存取，但整体表现比较平均。其中，以采用TOSHIBA(东芝)MLC颗粒的性能最佳，最高写入速度达到79.2MB/s，HYNIX(海力士)MLC颗粒就要差一些，最高只有70.2MB/s。

此外，和TLC不同的是，采用MLC颗粒的iPhene 6 64GB进行文件拷贝时，系统内存使用的情况并没有太多变化，也没有因为拷贝大文件写入速度大幅下降，前台应用在拷贝时保持稳定，没有出现延迟或闪退的情况。

Random Fill(随机填充)测试：

当改用随机填充测试时，TLC和MCL的性能差距明显扩大。由于系统内存难以对细小非连续的文件继续动态存取，采用TLC颗粒的iPhone6 64GB的写入性能大幅下降至3MB/s以下。虽然采用MLC的版本表现也不是太理想，但小文件写入都在3.5MB/s，随着文件增大，表现也会明显上升。相反，TLC由于采用动态快速存取磁盘优化，对随机拷贝测试没有帮助，相反令CPU的占用率大幅度提高，导致iPhone6出现没有反应的现象。